[发明专利]高压直流LED或交流LED及其制造方法有效
申请号: | 201910487621.X | 申请日: | 2019-06-05 |
公开(公告)号: | CN110190086B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 黎子兰;李成果;张树昕 | 申请(专利权)人: | 广东省半导体产业技术研究院 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/38 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 唐维虎 |
地址: | 510000 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了一种高压直流LED或交流LED及其制造方法,涉及LED技术领域。本申请实施例中的高压直流LED或交流LED及其制造方法,器件的发光部分是以成核中心层为生长得到的,通过选区外延技术形成独立的发光单元,发光单元之间是相互分隔。在制备过程中,不使用刻蚀或切割工艺分割发光单元,有效的简化了高压直流LED或交流LED的制作工艺,显著的抑制了刻蚀或切割表面形成的非辐射复合中心。同时,制作过程中,将第一衬底去除,使用第二衬底提供支撑,可以避免第一衬底的吸光,提高高压直流LED或交流LED的出光率。 | ||
搜索关键词: | 高压 直流 led 交流 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高压直流LED或交流LED的制造方法,其特征在于,该方法包括:提供第一衬底;在所述第一衬底一侧生长成核中心层和第一隔离层;在所述第一隔离层远离所述成核中心层一侧,以所述成核中心层进行选区生长氮化物材料,形成多个相间隔的电子传输层;在所述电子传输层表面制作辐射层和空穴层;在所述空穴层的表面以及所述第一隔离层的表面,制作P‑型电极层,相邻的所述电子传输层对应的P‑型电极层相互绝缘;基于所述P‑型电极层制作N‑型电极层,并在制作连接材料层后,再键合连接第二衬底,或者,基于所述P‑型电极层直接制作所述连接材料层后,键合连接所述第二衬底;去除所述第一衬底;形成所述高压直流LED或交流LED的P‑电极和N‑电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的