[发明专利]高压直流LED或交流LED及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910487621.X 申请日: 2019-06-05
公开(公告)号: CN110190086B 公开(公告)日: 2021-07-27
发明(设计)人: 黎子兰;李成果;张树昕 申请(专利权)人: 广东省半导体产业技术研究院
主分类号: H01L27/15 分类号: H01L27/15;H01L33/00;H01L33/38
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 唐维虎
地址: 510000 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请提供了一种高压直流LED或交流LED及其制造方法,涉及LED技术领域。本申请实施例中的高压直流LED或交流LED及其制造方法,器件的发光部分是以成核中心层为生长得到的,通过选区外延技术形成独立的发光单元,发光单元之间是相互分隔。在制备过程中,不使用刻蚀或切割工艺分割发光单元,有效的简化了高压直流LED或交流LED的制作工艺,显著的抑制了刻蚀或切割表面形成的非辐射复合中心。同时,制作过程中,将第一衬底去除,使用第二衬底提供支撑,可以避免第一衬底的吸光,提高高压直流LED或交流LED的出光率。
搜索关键词: 高压 直流 led 交流 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种高压直流LED或交流LED的制造方法,其特征在于,该方法包括:提供第一衬底;在所述第一衬底一侧生长成核中心层和第一隔离层;在所述第一隔离层远离所述成核中心层一侧,以所述成核中心层进行选区生长氮化物材料,形成多个相间隔的电子传输层;在所述电子传输层表面制作辐射层和空穴层;在所述空穴层的表面以及所述第一隔离层的表面,制作P‑型电极层,相邻的所述电子传输层对应的P‑型电极层相互绝缘;基于所述P‑型电极层制作N‑型电极层,并在制作连接材料层后,再键合连接第二衬底,或者,基于所述P‑型电极层直接制作所述连接材料层后,键合连接所述第二衬底;去除所述第一衬底;形成所述高压直流LED或交流LED的P‑电极和N‑电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东省半导体产业技术研究院,未经广东省半导体产业技术研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910487621.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top