[发明专利]磁性存储器装置及其制作方法在审
| 申请号： | 201910484876.0 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN112054115A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 郭致玮;赖育聪;廖俊雄 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磁性存储器装置及其制作方法，该磁性存储器装置包含第一介电层，设于基底上、第一介层插塞和第二介层插塞，设于第一介电层中、第一柱状存储器堆叠，设于第一介层插塞上、第二柱状存储器堆叠，设于第二介层插塞上，以及绝缘盖层，共形的设置在第一介电层的表面上和第一柱状存储器堆叠及第二柱状存储器堆叠的侧壁上。在逻辑区内和第一柱状存储器堆叠及第二柱状存储器堆叠之间的介层通孔形成区内未设置有所述绝缘盖层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 存储器 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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