[发明专利]一种异质集成单晶钻石薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910470048.1 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110970363A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;伊艾伦;武震宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/762;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种异质集成单晶钻石薄膜的制备方法，至少包括：提供一钻石衬底，对钻石衬底上表面进行离子注入，在预设深度处形成缺陷层，并将缺陷层之上的钻石衬底设为衬底薄层；于衬底薄层表面生长同质外延钻石薄膜层；于钻石薄膜层表面形成第一键合介质层；提供一异质衬底，于异质衬底上表面形成第二键合介质层；将第一键合介质层与第二键合介质层进行键合，形成键合结构；沿缺陷层剥离键合结构，形成异质结构；对异质结构的剥离面进行表面处理，去除残留的缺陷层及衬底薄层。本发明通过离子注入与键合工艺，将同质外延的单晶钻石薄膜集成于异质衬底上，得到大面积、高质量的钻石薄膜，为光子、量子传感器件应用提供一个先进的材料平台。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 钻石 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
