[发明专利]3D闪存中阈值电压的调整方法、系统以及3D闪存有效
| 申请号： | 201910469101.6 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110322907B | 公开（公告）日： | 2020-12-11 |
| 发明（设计）人： | 薛春;李乔;石亮;李晓明;吴大畏 | 申请（专利权）人： | 深圳市得一微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C16/08;G11C16/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市南山区粤海街道科技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种3D闪存中阈值电压的调整方法、系统以及3D闪存，涉及闪存数据读取技术领域。其调整方法的技术要点包括在闪存块内预留部分的存储元作为核对存储元；在核对存储元上写入指定的核对数据；读取核对存储元上核对数据，作为读出数据；比较核对数据和读出数据，获得存储元的检测集合；基于比对检测集合，在七个阈值电压中选出问题阈值电压；并基于计算检测集合，修改问题阈值电压，本发明具有调节阈值电压准确的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 阈值 电压 调整 方法 系统 以及 | ||
【主权项】：
1.一种3D闪存中阈值电压的调整方法，其特征在于：包括：在闪存块内预留部分的存储元作为核对存储元；在核对存储元上写入指定的核对数据；读取核对存储元上核对数据，作为读出数据；比较核对数据和读出数据，获得存储元的检测集合；基于比对检测集合，在七个阈值电压中选出问题阈值电压；并基于计算检测集合，修改问题阈值电压。
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