[发明专利]3D闪存中阈值电压的调整方法、系统以及3D闪存有效

专利信息
申请号: 201910469101.6 申请日: 2019-05-31
公开(公告)号: CN110322907B 公开(公告)日: 2020-12-11
发明(设计)人: 薛春;李乔;石亮;李晓明;吴大畏 申请(专利权)人: 深圳市得一微电子有限责任公司
主分类号: G11C5/14 分类号: G11C5/14;G11C16/08;G11C16/26
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518057 广东省深圳市南山区粤海街道科技*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 闪存 阈值 电压 调整 方法 系统 以及
【权利要求书】:

1.一种3D闪存中阈值电压的调整方法,其特征在于:包括:

在闪存块内预留部分的存储元作为核对存储元;

在核对存储元上写入指定的核对数据;

读取核对存储元上的核对数据,作为读出数据;比较核对数据和读出数据,获得存储元的检测集合;其中,检测集合包括分别对应七个阈值电压的上错和下错的差值;基于核对存储元内数据组内各个数据错误的方向,将错误分为上错和下错;累加核对存储元的上错和下错值,获得核对存储元对应七个阈值电压的上错和下错的差值;

基于比对所述检测集合中七个阈值电压的上错和下错的差值,在七个阈值电压中选出问题阈值电压;

并基于计算检测集合对应七个阈值电压的上错和下错的差值拟合获得用于输出电压阈值参数的调节值的五次多项式函数,修改问题阈值电压。

2.根据权利要求1所述的3D闪存中阈值电压的调整方法,其特征在于:由闪存块上的每条字线上预留部分储存元作为该字线的核对存储元。

3.根据权利要求2所述的3D闪存中阈值电压的调整方法,其特征在于:核对存储元位于字线的最末段。

4.根据权利要求2或3所述的3D闪存中阈值电压的调整方法,其特征在于:每条字线上的核对存储元占字线上总储存元的0.1%到3%。

5.根据权利要求1所述的3D闪存中阈值电压的调整方法,其特征在于:预留闪存块上的多条字线作为核对字线,所述核对字线上全部储存元作为该闪存块的核对存储元。

6.根据权利要求5所述的3D闪存中阈值电压的调整方法,其特征在于:在闪存块上的首端、尾端和中间端均至少选择一条字线作为核对字线。

7.根据权利要求1所述的3D闪存中阈值电压的调整方法,其特征在于:核对数据包括若干存储于8个存储元的数据组,数据组包括分别写入的111,110,100,101,001,000,010和011。

8.根据权利要求1所述的3D闪存中阈值电压的调整方法,其特征在于:基于检测阈值电压对应的上错和下错差值的数值是否为0,判断阈值电压是否为问题阈值电压。

9.根据权利要求1所述的3D闪存中阈值电压的调整方法,其特征在于:基于阈值电压上错和下错差值的正负,判断问题阈值电压的调大或者调小。

10.根据权利要求1所述的3D闪存中阈值电压的调整方法,其特征在于:基于阈值电压上错和下错差值的绝对值大小,计算问题阈值电压的调节值大小。

11.一种3D闪存中阈值电压的调整系统,其特征在于:包括:

分配模块(601),用于在闪存块内预留部分的存储元作为核对存储元;

写入模块(602),在核对存储元上写入指定的核对数据;

读取模块(603),读取核对存储元上的核对数据,作为读出数据;

比对模块(604),比较核对数据和读出数据,获得存储元的检测集合;检测集合包括分别对应七个阈值电压的上错和下错的差值;其中,基于核对存储元内数据组内各个数据错误的方向,将错误分为上错和下错;累加核对存储元的上错和下错值,获得核对存储元对应七个阈值电压的上错和下错的差值;

选取模块(605),基于所述检测集合中七个阈值电压的上错和下错的差值,在七个阈值电压中选出问题阈值电压;

调节模块(606),并基于计算检测集合对应七个阈值电压的上错和下错的差值拟合获得用于输出电压阈值参数的调节值的五次多项式函数,修改问题阈值电压。

12.一种闪存,其特征在于:包括指令,所述指令在计算机上运行时,使得计算机执行权利要求1-10任一项所述的方法。

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