[发明专利]二维材料与半导体粉体复合材料的晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 201910463283.6 | 申请日： | 2019-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN110189998B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 苏力宏;王波;黄维;邹子翱;张军平 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/72;H01L29/78;H01L29/861 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维材料与半导体粉体梯度复合材料的柔性晶体管及制备方法，发现和利用CN201810197960专利所制叠层梯度薄膜具有的PN结特性，拓展不同二维材料与不同半导体粉体复合的多层梯度薄膜，形成多种系列特性参数的PN结，再次叠加这些PN结，加工加压使其接触成为新的器件，并且在特定梯度位置和方向连接电极，可以获得晶体三极管或者场效应管器件，与传统的晶体管或者场效应管器件不同，这类二维材料与半导体复合多层梯度薄膜本身是柔性的，可以制成柔性的器件，两个或多个梯度薄膜组合叠加，其组合方式不同，可以获得PNP和NPN型柔性晶体管器件，或N沟道和P沟道型柔性场效应管器件。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 材料 半导体 复合材料 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维材料与半导体粉体梯度复合材料的柔性晶体二极管，其特征在于包括半导体粉体与二维材料复合簿膜和两个电极；两个电极分别位于簿膜的上端及下端，两个电极之间形成二极管的PN结；所述两个电极的连接电流通过的路线与多层梯度簿膜的材料含量梯度变化线方向的角度大于零度，小于180度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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