[发明专利]垂直磁随机存取存储器的多层自旋轨道矩电极在审
| 申请号： | 201910456880.6 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660899A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | T.戈萨维;S.马尼帕特鲁尼;林家庆;K.奥古斯;C.维根;A.史密斯;佐藤德之;K.奥布里恩;B.布福德;I.杨;M.D.T.拉曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李啸;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文中的实施例涉及用于制造自旋轨道矩（SOT）电极的系统、设备和/或过程，SOT电极包含：具有与磁性隧道结（MTJ）的自由层耦合的第一面的第一层；以及与第一层的与第一面相对的第二面耦合的第二层，其中第一SOT层中的电阻的值低于第二SOT层中的电阻的值，并且其中施加到SOT电极的电流将使得电流优先在第一SOT层中流动，以使得自由层的磁极化改变方向。在SOT电极的制造期间，第二层可充当蚀刻停止处。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 第一层 自由层 耦合的 电阻 蚀刻 磁性隧道结 改变方向 磁极化 第二面 自旋 制造 施加 轨道 流动 | ||
【主权项】：
1. 一种自旋轨道矩（SOT）电极，包括：/n具有与磁性隧道结（MTJ）的自由层耦合的第一面的第一层；以及/n与所述第一层的与所述第一面相对的第二面耦合的第二层，其中所述第一SOT层中的电阻的值低于所述第二SOT层中的电阻的值。/n
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