[发明专利]垂直磁随机存取存储器的多层自旋轨道矩电极

权利要求书

1. 一种自旋轨道矩（SOT）电极，包括：

具有与磁性隧道结（MTJ）的自由层耦合的第一面的第一层；以及

与所述第一层的与所述第一面相对的第二面耦合的第二层，其中所述第一SOT层中的电阻的值低于所述第二SOT层中的电阻的值。

2.如权利要求1所述的SOT电极，其中所述第一SOT层中的自旋电导率的值高于所述第二SOT层中的自旋电导率的值。

3.如权利要求1所述的SOT电极，其中施加到所述SOT电极的电流将使得电流优先在所述第一SOT层中流动，以使得所述自由层的磁极化改变方向。

4.如权利要求3所述的SOT电极，其中所述自由层的所述磁极化大体上垂直于所述第一层的所述第一面。

5.如权利要求1、2、3或4所述的SOT电极，其中所述第一层和所述第二层包含以下一种或多种：石墨烯、TiS₂、WS₂、MoS₂、TiSe₂、WSe₂、MoSe₂、B₂S₃、Sb₂S₃、Ta₂S、Re₂S₇、LaCPS₂、LaOAsS₂、ScOBiS₂、GaOBiS₂、AlOBiS₂、LaOSbS₂、BiOBiS₂、YOBiS₂、InOBiS₂、LaOBiSe₂、TiOBiS₂、CeOBiS₂、PrOBiS₂、NdOBiS₂、LaOBiS₂或SrFBiS₂。

6.如权利要求1所述的SOT电极，其中所述第一层的所述第一面具有比与所述第一层的所述第二面耦合的所述第二层的一面相对的所述第二层的一面更小的面积。

7.一种设备，包括：

具有自由层的磁性隧道结（MTJ）；

与所述自由层耦合的自旋轨道矩（SOT）电极的第一面的第一层；以及

与所述第一层的与所述第一面相对的第二面耦合的所述SOT电极的第二层，其中所述第一SOT层中的电阻的值低于所述第二SOT层中的电阻的值。

8.如权利要求7所述的设备，其中所述第一SOT层中的自旋电导率的值高于所述第二SOT层中的自旋电导率的值。

9.如权利要求7所述的设备，其中施加到所述SOT电极的电流将使得电流优先在所述第一SOT层中流动，以使得所述自由层的磁极化改变方向。

10.如权利要求9所述的设备，其中所述自由层的所述磁极化大体上垂直于所述第一层的所述第一面。

11.如权利要求9所述的设备，其中施加的电流是第一电流；并且进一步包括，其中沿与所述第一电流相反的方向施加到所述SOT电极的第二电流将使得电流优先在所述第一SOT层中流动，以使得所述自由层的磁极化改变方向。