[发明专利]微镜头制备方法及微镜头在审
申请号: | 201910455252.6 | 申请日: | 2019-05-29 |
公开(公告)号: | CN110148604A | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 焉逢运;程泰毅;郝志 | 申请(专利权)人: | 上海思立微电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;陈烨 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种微镜头制备方法及微镜头,该方法包括:制备连接电路,连接电路设置在感光器件和电路器件的上侧,感光器件和电路器件的下侧设置在芯片衬底上;在连接电路的上侧沉积具有第一预定厚度的沉积平坦化层;在沉积平坦化层的上侧沉积具有第二预定厚度的沉积牺牲层;在沿着高度方向上,对与感光器件相对应的沉积牺牲层进行刻蚀,形成具有与感光器件个数相匹配的预定图形的刻蚀区,其中,相邻两个预定图形之间间隔预定刻蚀间距;在沉积牺牲层的上侧沉积具有第三预定厚度的沉积钝化层,在沿着高度方向上,沉积钝化层中与刻蚀区相对应的区域形成微透镜。本发明制备的微镜头能较佳地满足生物识别领域的特定需求。 | ||
搜索关键词: | 沉积 微镜头 感光器件 刻蚀 制备 连接电路 牺牲层 沉积平坦化层 沉积钝化层 电路器件 预定图形 区域形成 生物识别 微透镜 衬底 匹配 芯片 | ||
【主权项】:
1.一种微镜头制备方法,其特征在于,包括:制备连接电路,所述连接电路设置在感光器件和电路器件的上侧,所述感光器件和电路器件的下侧设置在芯片衬底上;在所述连接电路的上侧沉积具有第一预定厚度的沉积平坦化层;在所述沉积平坦化层的上侧沉积具有第二预定厚度的沉积牺牲层;在沿着高度方向上,对与所述感光器件相对应的沉积牺牲层进行刻蚀,形成具有与所述感光器件个数相匹配的预定图形的刻蚀区,相邻两个所述预定图形之间间隔预定刻蚀间距;在经过局部刻蚀处理后的沉积牺牲层的上侧沉积具有第三预定厚度的沉积钝化层,在沿着高度方向上,所述沉积钝化层中与所述刻蚀区相对应的区域形成微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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