[发明专利]自旋电子类脑信息处理芯片

摘要

本发明公开了自旋电子类脑信息处理芯片，对历史数据具有学习能力，能应用于大数据分类和模拟信号的识别。该自旋类脑神经网络是基于两类纳米尺寸自旋力矩自旋电子器件构建的，可以COMS工艺相结合，能模仿人脑神经元和突触处理和传输信息的功能。本发明所提出的自旋力矩纳米磁振荡器和电流驱动磁畴壁移动忆阻器是新一类信息处理和存储为一体逻辑自旋器件。自旋力矩纳米磁振荡器是基于电流导致自旋力矩效应，利用电流产生的自旋力矩激发和稳定磁性层中磁矩在纳米尺度下绕外磁场或总有效磁场作高频进动，其进动频率在0.1GHz～50GHz范围内可根据器件结构和外加磁场、电流或电压等参数进行可控调制。

主权项

1.自旋电子类脑信息处理芯片，其特征在于：由基本单元扩展成二维或三维阵列构成；所述基本单元包括三极管、自旋力矩磁振荡器或自旋轨道矩驱动磁畴壁移动忆阻器、电感、电容以及二极管；所述三极管的栅极与字线相连，所述三极管的一源极与位线相连，所述三极管的另一源极与所述自旋力矩磁振荡器或自旋轨道矩驱动磁畴壁移动忆阻器的底电极相连，所述自旋力矩磁振荡器或自旋轨道矩驱动磁畴壁移动忆阻器的上电极分别与电压信号线V_DD，所述电感以及所述电容相连，而所述电感另一端与另一位线相连，所述电容另一端与所述二极管相连，所述二极管另一端与另一字线相连。