[发明专利]半导体装置的形成方法在审

申请号：	201910445396.3	申请日：	2019-05-27
公开（公告）号：	CN110783196A	公开（公告）日：	2020-02-11
发明（设计）人：	许议文;陈哲明	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L21/8238
代理公司：	72003 隆天知识产权代理有限公司	代理人：	黄艳
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：	远端产生的等离子体能量化制程气体的自由基。制程气体的自由基可与前驱物气体作用，以反应形成氧化物于工件的区域上。形成氧化物的步骤不损伤下方的层状物如低介电常数的介电层。在鳍状场效晶体管装置的形成方法中，氧化物层可对应栅极间隔物上的主要侧壁间隔物。
搜索关键词：	自由基氧化物制程鳍状场效晶体管侧壁间隔物低介电常数前驱物气体栅极间隔物氧化物层等离子层状物介电层远端损伤体能量化
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【主权项】：

1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n形成一栅极堆叠于一或多个半导体带状物上；/n形成多个栅极密封间隔物以与该栅极堆叠的两侧相邻；/n形成多个低介电常数的栅极间隔物以与所述栅极密封间隔物相邻，且该低介电常数的栅极间隔物包括一低介电常数的介电材料；以及/n以一远端氧等离子体源与一前驱物气体形成一氧化物层于该低介电常数的栅极间隔物上。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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