[发明专利]QLED器件及其制作方法、显示面板及显示装置有效
| 申请号： | 201910441452.6 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110112305B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 禹钢 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方技术开发有限公司 |
| 主分类号： | H10K50/15 | 分类号： | H10K50/15;H10K71/16;H10K85/30;H10K71/00;H10K85/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 江鹏飞;申屠伟进 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种QLED器件及其制作方法、显示面板及显示装置。该QLED器件包括：量子点发光层，以及位于量子点发光层一侧的空穴传输层，其中空穴传输层包括钙钛矿材料和有机空穴传输材料。该空穴传输层可以采用共蒸镀工艺制备，其中钙钛矿材料和有机空穴传输材料通过自组装形成叠层结构。钙钛矿材料的高载流子迁移率可以改善空穴传输层的载流子传输性能，使其与电子传输层的载流子传输性能相匹配。同时有机空穴传输材料形成定向的空穴通道，使空穴的传输更加可控，从而避免在空穴传输层与量子点发光层的界面积累过量的空穴，从而保证QLED器件的效率和耐受性。 | ||
| 搜索关键词： | qled 器件 及其 制作方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，包括：量子点发光层；以及位于量子点发光层一侧的空穴传输层；其中，所述空穴传输层包括钙钛矿材料和有机空穴传输材料。
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