[发明专利]QLED器件及其制作方法、显示面板及显示装置

说明书

本公开提供了一种QLED器件及其制作方法、显示面板及显示装置。该QLED器件包括：量子点发光层，以及位于量子点发光层一侧的空穴传输层，其中空穴传输层包括钙钛矿材料和有机空穴传输材料。该空穴传输层可以采用共蒸镀工艺制备，其中钙钛矿材料和有机空穴传输材料通过自组装形成叠层结构。钙钛矿材料的高载流子迁移率可以改善空穴传输层的载流子传输性能，使其与电子传输层的载流子传输性能相匹配。同时有机空穴传输材料形成定向的空穴通道，使空穴的传输更加可控，从而避免在空穴传输层与量子点发光层的界面积累过量的空穴，从而保证QLED器件的效率和耐受性。

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体涉及一种QLED器件及其制作方法、显示面板及显示装置。

背景技术

量子点是一种溶液可加工的半导体纳米晶体，具有发光光谱窄、发光波长可调控、光谱纯度高等优点，最有希望成为下一代发光器件的核心部分。量子点发光二极管（Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED）将量子点作为发光层的制作材料，在不同的导电材料之间引入发光层从而得到所需要波长的光。QLED具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快、寿命长等优点。

发明内容

根据本公开的一方面，提供了一种QLED器件。所述QLED器件包括：量子点发光层；以及位于量子点发光层一侧的空穴传输层；其中，所述空穴传输层包括钙钛矿材料和有机空穴传输材料。

在一些实施例中，所述有机空穴传输材料在所述空穴传输层中的摩尔比例大于0%且小于等于10%。

在一些实施例中，所述有机空穴传输材料在所述空穴传输层中的摩尔比例在远离所述量子点发光层的方向上梯度增大。

在一些实施例中，所述空穴传输层是通过共蒸镀钙钛矿前体材料和所述有机空穴传输材料形成的。

在一些实施例中，所述空穴传输层具有所述钙钛矿材料和所述有机空穴传输材料的叠层结构。

在一些实施例中，所述钙钛矿材料的分子通式为ABX₃；A包括一价碱金属、小分子有机铵或Tl；B包括Pb或Sn；X包括Cl或Br。

在一些实施例中，所述钙钛矿材料包括MAPbCl₃。

在一些实施例中，所述有机空穴传输材料包括CBP、TCTA、TFB、TPD、NPB、TAPC中的至少一种。

在一些实施例中，所述QLED器件包括依次层叠的第一电极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层和第二电极。

在一些实施例中，所述电子传输层是ZnO纳米粒子层或TiO₂纳米棒层。

根据本公开的另一方面，提供了一种QLED显示面板。所述QLED显示面板包括基板和阵列布置在所述基板表面上的如前所述的QLED器件。

根据本公开的又一方面，提供了一种QLED显示装置。所述QLED显示装置包括如前所述的QLED显示面板。

根据本公开的另一方面，提供了一种QLED器件的制作方法。所述方法包括：形成量子点发光层；以及在所述量子点发光层的一侧形成空穴传输层；其中，所述空穴传输层包括钙钛矿材料和有机空穴传输材料。

在一些实施例中，所述有机空穴传输材料在所述空穴传输层中的摩尔比例大于0%且小于等于10%。

在一些实施例中，所述有机空穴传输材料在所述空穴传输层中的摩尔比例在远离所述量子点发光层的方向上梯度增大。

在一些实施例中，所述在量子点发光层的一侧形成空穴传输层包括：共蒸镀钙钛矿前体和有机空穴传输材料，从而在所述量子点发光层的一侧形成所述空穴传输层；以及烘烤所述空穴传输层。