[发明专利]一种半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910421845.0 | 申请日： | 2019-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN110112067B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 王永庆;陈赫;董金文;华子群;马瑞 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李港 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心器件区和形成于所述核心器件区之上的金属焊垫；在所述半导体结构的表面覆盖第一钝化层、第二钝化层和感光保护层；使用第一掩膜去除至少部分感光保护层、第一钝化层和第二钝化层，形成连通至所述金属焊垫的开口，所述第一掩膜具有交替布置的透光区和遮光区，形成的所述开口为台阶状开口，所述台阶的过渡面为弧面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括核心器件区和形成于所述核心器件区之上的金属焊垫；在所述半导体结构的表面覆盖第一钝化层、第二钝化层和感光保护层；使用第一掩膜去除至少部分感光保护层、第一钝化层和第二钝化层，形成连通至所述金属焊垫的开口，所述第一掩膜具有交替布置的透光区和遮光区，形成的所述开口为台阶状开口，所述台阶的过渡面为弧面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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