[发明专利]一种用于钙钛矿光电探测器的光学调制层及其应用在审

专利信息
申请号: 201910412923.0 申请日: 2019-05-17
公开(公告)号: CN110112298A 公开(公告)日: 2019-08-09
发明(设计)人: 王宇英;贺瑞;孟彦龙 申请(专利权)人: 杭州师范大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/44
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 311121 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种用于钙钛矿光电探测器的光学调制层,包括下层的电介质层和上层的光反射膜层,电介质层选自Si、ZnO、ZnS、Si3N4、Al2O3、SiO2和TiO2中的一种,光反射膜层选自Au、Ag、Al、Cu、Ni、Pt、Ti、TiN和ZrN中的一种。本发明还公开了一种钙钛矿光电探测器,包括自下而上依次组成的衬底、底层电极、光吸收层、顶层电极和所述的光学调制层。光学调制层覆盖在钙钛矿光电探测器的顶层电极上,与钙钛矿光电探测器整个器件耦合实现具有波长选择性的完美吸收,增强入射到钙钛矿光电探测器中的光能量,从而进一步提高光响应度。
搜索关键词: 光电探测器 钙钛矿 光学调制层 光反射膜层 电介质层 顶层电极 波长选择性 底层电极 光吸收层 光响应度 器件耦合 光能量 衬底 入射 下层 上层 覆盖 吸收 应用
【主权项】:
1.一种用于钙钛矿光电探测器的光学调制层,其特征在于,包括下层的电介质层和上层的光反射膜层,所述电介质层选自Si、ZnO、ZnS、Si3N4、Al2O3、SiO2和TiO2中的一种,所述光反射膜层选自Au、Ag、Al、Cu、Ni、Pt、Ti、TiN和ZrN中的一种。
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