[发明专利]使用晶片到晶片接合的具有共享控制电路的三维（3D）闪存存储器在审
| 申请号： | 201910410297.1 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110620117A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | R·法斯托;K·哈斯纳特;P·马吉;O·容格罗特 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/11582 | 分类号： | H01L27/11582;H01L27/11556;H01L25/18;G11C16/04 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了使用晶片到晶片接合的具有共享CMOS电路的三维(3D)闪存存储器。晶片到晶片接合用于形成三维(3D)存储器部件，例如在一个管芯上具有共享控制电路以访问多个管芯上的阵列的3D NAND闪存存储器。在一个示例中，非易失性存储装置包括第一管芯，该第一管芯包括非易失性存储单元的3D阵列和CMOS(互补金属氧化物半导体)电路。第二管芯与第一管芯垂直堆叠并接合，该第二管芯包括非易失性存储单元的第二3D阵列。第一管芯的CMOS电路的至少一部分用于访问第一管芯的非易失性存储单元的第一3D阵列和第二管芯的非易失性存储单元的第二3D阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 管芯 非易失性存储单元 第二管 晶片接合 晶片 三维 互补金属氧化物半导体 非易失性存储装置 共享控制电路 存储器部件 闪存存储器 垂直堆叠 接合 电路 访问 共享 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储装置，包括：/n第一管芯，所述第一管芯包括非易失性存储单元的第一三维(3D)阵列和CMOS(互补金属氧化物半导体)电路；以及/n与所述第一管芯垂直堆叠并接合的第二管芯，所述第二管芯包括非易失性存储单元的第二3D阵列，所述第一管芯的所述CMOS电路的至少一部分用于访问所述第一管芯的非易失性存储单元的所述第一3D阵列和所述第二管芯的非易失性存储单元的所述第二3D阵列。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
