[发明专利]一种提高离子注入剂量控制精度的方法和系统有效
| 申请号： | 201910404828.6 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110085500B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 唐绍根;黄磊;邓建国 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01L21/265 |
| 代理公司： | 重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙) 50221 | 代理人： | 刘佳 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种提高离子注入剂量控制精度的方法和系统，其中，所述方法包括：获取束流束斑的径向分布；根据所述束斑的径向分布，计算束斑质心到靶盘中心的距离，即束斑的质心值R；根据公式 |
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| 搜索关键词： | 一种 提高 离子 注入 剂量 控制 精度 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种提高离子注入剂量控制精度的方法，其特征在于，包括：获取束流束斑的径向分布M(y)；根据所述束斑的径向分布M(y)，计算束斑质心到靶盘中心的距离，即束斑的质心值R；根据公式![]()
计算靶盘径向扫描速度V，其中，K＝1/(2π qn)，q表示单位电荷量，q＝1.6×10‑19库仑，n表示电荷量，I表示总电流，R表示束斑的质心值，![]()
表示预设离子注入剂量；驱动所述靶盘以所述径向扫描速度V做径向扫描，同时驱动靶盘旋转做圆环扫描。
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