[发明专利]一种基于双发光层的钙钛矿发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201910400329.X | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN110120457B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 邓玲玲;夏鹏飞;李永哲;卢瑶;陈淑芬 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈望坡;姚姣阳 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于双发光层的钙钛矿发光二极管，包括由下向上依次顺序层叠的氧化铟锡玻璃基底、空穴传输层、钙钛矿发光层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及金属阴极。本发明的优点是：钙钛矿发光二极管的制备成本低且器件性能提升明显。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 发光 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于双发光层的钙钛矿发光二极管，其特征在于：包括由下向上依次顺序层叠的氧化铟锡玻璃基底、空穴传输层、钙钛矿发光层、钙钛矿量子点发光层、电子传输层、电子注入层以及金属阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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