[发明专利]半导体存储装置及其驱动方法在审

专利信息
申请号: 201910396964.5 申请日: 2019-05-14
公开(公告)号: CN111009273A 公开(公告)日: 2020-04-14
发明(设计)人: 朴赞敏;金大善;南仁哲;李昌洙;郑震石 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063;G11C5/14
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 钱大勇
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体存储装置,包括存储单元单位和内部电压稳定装置。存储单元单元包括行译码器、列译码器和存储单元阵列。内部电压稳定装置包括:操作终止确定单元,被配置为基于外部输入电压确定半导体存储装置的操作是否终止并输出操作终止命令;终止电压生成单元,被配置为基于操作终止确定单元的操作终止的确定结果来生成具有预设电压值的终止电压;和开关单元,包括多个开关,所述多个开关响应于所述操作终止命令而导通,并且将从终止电压生成单元输入的终止电压提供给存储单元阵列的多个内部节点。
搜索关键词: 半导体 存储 装置 及其 驱动 方法
【主权项】:
暂无信息
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