[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910396905.8 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111952364A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 夏得阳 | 申请（专利权）人： | 芯恩（青岛）集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/335;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 266555 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该方法包括提供一临时衬底；在临时衬底上形成预定厚度的第一外延层，第一外延层与临时衬底接触的面作为外延层的背面；在预定厚度的第一外延层上形成对准标志；在第一外延层上形成第二外延层，第二外延层覆盖第一外延层和对准标志；利用对准标志，在外延层的背面进行图形对准，在外延层的背面形成集电区。上述方法省去了在晶圆正面设置光学玻璃板的过程，由此减少了整体制造成本。入射光自外延层的背面入射，进行背面工艺中掩膜板的对准，对准精确度高。并且无需对曝光工具等设备进行任何改进，省去了设备改进的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逆导型 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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