[发明专利]一种改善碳化硅晶体生长效率的方法无效
| 申请号： | 201910386072.7 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110004486A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 徐良;蓝文安;占俊杰;阳明益;刘建哲;余雅俊 | 申请（专利权）人： | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 胡杰平 |
| 地址： | 321016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开一种改善碳化硅晶体生长效率的方法，包括碳化硅单晶长晶的导边坩埚、感应加热线圈、保温系统、籽晶。透过该发明，当碳化硅长晶时，坩埚边上的导边将挥发1.贴近籽晶处的温度梯度提高。2.引导挥发原子往低温籽晶处。3.减少挥发原子结晶于导边位置。4.提高长晶的晶体长度。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发 碳化硅晶体 籽晶处 导边 坩埚 感应加热线圈 碳化硅单晶 保温系统 温度梯度 原子结晶 生长 碳化硅 籽晶 | ||
【主权项】：
1.一种改善碳化硅晶体生长效率的方法，其特徵在于：放置长晶原料的坩埚外型设计。
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