[发明专利]一种改善碳化硅晶体生长效率的方法无效
| 申请号： | 201910386072.7 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110004486A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 徐良;蓝文安;占俊杰;阳明益;刘建哲;余雅俊 | 申请（专利权）人： | 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 胡杰平 |
| 地址： | 321016 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 挥发 碳化硅晶体 籽晶处 导边 坩埚 感应加热线圈 碳化硅单晶 保温系统 温度梯度 原子结晶 生长 碳化硅 籽晶 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善碳化硅晶体生长效率的方法，其特徵在于：放置长晶原料的坩埚外型设计。
2.据权利要求1所述的坩埚，其特徵可以是石墨材质、钨金属、铱金属、碳化钽等材质。
3.据权利要求1所述的坩埚，其特徵可以上方内侧偏厚的导角或上方外侧偏厚的导角。
4.据权利要求3所述的偏厚，其特徵在于坩埚上方较下方截面积宽。
5.据权利要求3所述的坩埚，其内侧或外侧导角特徵可以是凹、平、凸面形式。
6.据权利要求3所述的坩埚偏厚的导角，其特徵可以在坩埚开口处或是上盖下方处。
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