[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910384996.3 | 申请日： | 2019-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN110491931A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 洪承秀;林青美;成金重;吴怜默;李正允;池雅凛 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张青<国际申请>=<国际公布>=< |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 半导体装置具有：在衬底上的由隔离图案限定的有源鳍，每个有源鳍沿第一方向延伸，并且有源鳍沿与第一方向交叉的第二方向彼此间隔开；栅电极，其在有源鳍和隔离图案上沿第二方向延伸；以及隔离结构，其在第二方向上彼此相邻的有源鳍之间的隔离图案的一部分上。隔离结构包括：具有第一材料的第一图案和具有与第一材料不同的第二材料的第二图案。第二图案覆盖第一图案的下表面和下侧表面，但不覆盖第一图案的上侧表面。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离图案 图案 第一材料 方向延伸 隔离结构 半导体装置 第二材料 方向交叉 上侧表面 图案覆盖 下侧表面 下表面 栅电极 衬底 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n衬底；/n隔离图案，其在所述衬底上限定有源鳍，所述有源鳍中的每一个沿第一方向纵向延伸，并且所述有源鳍沿与所述第一方向交叉的第二方向间隔开；/n栅电极，其在所述有源鳍和所述隔离图案上沿所述第二方向纵向延伸；以及/n隔离结构，其在所述隔离图案的一部分上并且插入在所述第二方向上相邻的所述有源鳍之间，所述隔离结构包括：/n具有第一材料的第一图案，所述第一图案具有侧表面和底表面；以及/n具有不同于所述第一材料的第二材料的第二图案，所述第二图案覆盖所述第一图案的侧表面的下部和底表面，所述第二图案具有与所述第一图案的侧表面的下部和所述第一图案的侧表面的上部之间的边界邻近的上表面，以便不覆盖所述第一图案的侧表面的上部。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910384996.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种显示面板及显示装置
- 下一篇：氮化镓肖特基二极管及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
