[发明专利]原子层沉积设备在审

专利信息
申请号: 201910384724.3 申请日: 2019-05-09
公开(公告)号: CN111549332A 公开(公告)日: 2020-08-18
发明(设计)人: 申雄澈;崔圭政;白敏;杨澈勋 申请(专利权)人: NCD株式会社
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/458
代理公司: 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 代理人: 胡凯
地址: 韩国大田广域*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及不是双重腔室而是具有单一腔室结构并且能够对以多列配置的多张基板实施均匀的薄膜形成工艺的原子层沉积设备,包括:工艺腔室,一侧形成开口部且具有一定的内部空间,从而实施原子层沉积工艺;多个工艺用盒,被装载到所述工艺腔室内部而进行原子层沉积工艺,工艺完成后被卸载到外部;气体供给装置,对装载到所述盒的所有基板,对所述基板的前端部供给气体,以使得各基板之间的空间形成层状流动;排气侧层状流动形成部,使得由所述气体供给装置喷射的工艺气体的层状流动保持到所述基板的后端部;排气装置,吸入所述工艺腔室内部的气体并排气;加热装置,加热所述工艺腔室;以及门,打开和关闭所述开口部。
搜索关键词: 原子 沉积 设备
【主权项】:
暂无信息
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