[发明专利]蚀刻装置及其操作方法在审
| 申请号： | 201910374392.0 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN111276424A | 公开（公告）日： | 2020-06-12 |
| 发明（设计）人： | 蔡奉儒;董学儒 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种蚀刻装置及其操作方法。蚀刻装置包括腔室、晶圆座、气体源、真空密封装置与感应线圈。晶圆座设置于腔室内，其中晶圆座具有晶圆安装表面，晶圆安装表面平行于重力方向。气体源配置成产生气体。真空密封装置连接于气体源与腔室之间。感应线圈缠绕真空密封装置，以激发气体成等离子体。通过使用上述的蚀刻装置，晶圆的顶表面的污染问题可以被解决，且晶圆的效能可以被改善。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
