[发明专利]一种半导体PN结及制作方法在审
| 申请号： | 201910373876.3 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110085663A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 何慧强 | 申请（专利权）人： | 无锡鸣沙科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/331;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体PN结及制作方法，在衬底N0的正面有外延层N1，N0和N1是同种类杂质，并且N0的浓度比N1的浓度高；扩散掺杂区P1和P2连接为联合体，P1和P2是同种类型杂质，扩散掺杂区P1和P2联合体穿透外延层N1，P1和P2组成同类掺杂区与N0和N1组成的同类型掺杂区的界面连接，相比于衬底区PN结两侧的掺杂浓度，外延层区域PN结两侧的掺杂浓度低，因此拉伸了反向偏压状态下表面PN结空间电荷区的宽度，减小了表面PN结的电场强度，将击穿区域引导到衬底区，这样，PN结表面在受到外界不利因素的影响时，仍然拥有较理想的击穿值，而且击穿更稳定、更可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 半导体PN结 扩散掺杂 掺杂区 衬底区 外延层 联合体 掺杂 反向偏压状态 空间电荷区 外延层区域 不利因素 界面连接 区域引导 同种类型 浓度比 下表面 衬底 减小 拉伸 制作 穿透 | ||
【主权项】：
1.一种半导体PN结，特征在于：在衬底N0的正面有外延层N1，N0 和N1 是同种类杂质，并且N0 的浓度比N1的浓度高；扩散掺杂区P1和P2 连接为联合体， P1 和P2 是同种类型杂质，扩散掺杂区P1和P2 联合体穿透外延层N1，P1和P2 组成同类掺杂区与N0 和N1 组成的同类型掺杂区的界面连接。
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