[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层及其制备方法

摘要

本发明公开一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层，包括m组相层叠的基础吸收层，每组基础吸收层均包含由下至上层叠的铜铟镓膜层与硒膜层，2≤m≤5；在制备时按以下步骤：S1、采用磁控溅射工艺，在薄膜太阳能电池背电极上沉积铜铟镓膜层；S2、采用真空蒸镀或者磁控溅射工艺在铜铟镓膜层上沉积硒膜层，得到由铜铟镓膜层与硒膜层构成的基础吸收层；S3、重复步骤S1与S2的沉积过程，层叠m组基础吸收层，得到铜铟镓硒前驱体，2≤m≤5；S4、将铜铟镓硒前驱体置于真空硒化炉中进行RTP退火，得到铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层；该吸收层解决了现有产品中存在的Ga偏析的问题，提高薄膜太阳能电池的开路电压及光电转换效率，且制备方法简单。

主权项

1.一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池吸收层，其特征在于，包括m组相层叠的基础吸收层，每组基础吸收层均包含由下至上层叠的铜铟镓膜层与硒膜层，2≤m≤5。