[发明专利]一种SOI基SiGe双异质结光敏晶体管探测器

摘要

本发明公开了一种SOI基SiGe双异质结光敏晶体管探测器，采用SOI衬底替换Si衬底。该探测器包括一SOI衬底，由下层Si层和SiO₂层构成；在SOI衬底上依次制备出一Si次集电区、一Si集电区、一SiGe基区和一多晶Si发射区。因为Si材料和SiO₂材料折射率不同产生的折射率差，Si/SiO₂界面会形成一个反射镜，入射光到达SOI衬底中Si/SiO₂界面后会被反射而再次吸收，提高吸收效率；此外，SOI衬底中的SiO₂层的存在可以隔离衬底下层Si中产生的慢载流子并降低器件的寄生电容，从而提高工作速度。将光电探测器制作在SOI衬底上可以实现高速高效的光探测。

主权项

1.一种SOI基SiGe双异质结光敏晶体管探测器，其特征在于包括：一SOI衬底，包括下层Si(1)和SiO₂(2)绝缘层；SOI衬底上一SiGe双异质结光敏晶体管探测器，包括一Si次集电区(3)、一Si集电区(4)、一SiGe基区(5)和一多晶Si发射区(6)；探测器的光窗口位于多晶Si发射区(6)；其所述SOI衬底中Si(1)为P型Si，掺杂浓度≥1×10¹⁸cm^‑3且＜1×10²⁰cm^‑3，厚度介于0.8μm到2.0μm之间；其所述SOI衬底中SiO₂(2)为绝缘层，厚度介于0.2μm到1μm之间。