[发明专利]发光层的制备方法及显示装置有效
申请号: | 201910362270.X | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN110112304B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 杜中辉;吴聪原 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种发光层的制备方法及显示装置。发光层的制备方法包括S1、提供基板,S2、在所述基板上蒸镀绿光发光层,S3、用UV光照破坏左侧以及中间区域的所述绿光发光层,S4、将所述基板进行红光发光层蒸镀,S5、用UV光破坏最左侧区域的所述红光发光层,S6、将所述基板进行蓝光发光层蒸镀,S7、将所述基板进行电子传输层、电子注入层以及阴极蒸镀,并进行封装,S8、将步骤S7封装后的器件进行通电压处理,并破坏中间区域的所述蓝光发光层,以及右侧区域的红光发光层以及蓝光发光层。通过两次UV光照射及施加电压,处理RGB发光层,实现不需要彩色滤光片和金属掩膜版蒸镀器件的OLED发光器件。 | ||
搜索关键词: | 发光 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种发光层的制备方法,其特征在于,所述发光层的制备方法包括以下步骤:S1、提供基板,所述基板包括左侧区域、中间区域以及右侧区域;S2、在所述基板上蒸镀绿光发光层;S3、用UV光照射并破坏位于所述基板的所述左侧区域以及所述中间区域上的所述绿光发光层,保留位于所述基板的所述右侧区域上的所述绿光发光层;S4、在经过步骤S3处理后的所述基板上蒸镀红光发光层;S5、用所述UV光照射并破坏位于所述基板的所述左侧区域上的所述红光发光层,保留位于所述基板的所述中间区域以及所述右侧区域上的所述红光发光层;S6、在经过步骤S5处理后的所述基板上蒸镀蓝光发光层;S7、在经过步骤S6处理后的所述基板上蒸镀电子传输层、电子注入层以及阴极,并封装所述发光层;S8、将步骤S7封装后的所述发光层进行通电压处理,并破坏位于所述基板的所述中间区域上的所述蓝光发光层,以及破坏位于所述基板的所述右侧区域上的所述红光发光层以及所述蓝光发光层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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