[发明专利]发光层的制备方法及显示装置有效
申请号: | 201910362270.X | 申请日: | 2019-04-30 |
公开(公告)号: | CN110112304B | 公开(公告)日: | 2020-10-13 |
发明(设计)人: | 杜中辉;吴聪原 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种发光层的制备方法,其特征在于,所述发光层的制备方法包括以下步骤:
S1、提供基板,所述基板包括左侧区域、中间区域以及右侧区域;
S2、在所述基板上蒸镀绿光发光层;
S3、用UV光照射并破坏位于所述基板的所述左侧区域以及所述中间区域上的所述绿光发光层,保留位于所述基板的所述右侧区域上的所述绿光发光层;
S4、在经过步骤S3处理后的所述基板上蒸镀红光发光层;
S5、用所述UV光照射并破坏位于所述基板的所述左侧区域上的所述红光发光层,保留位于所述基板的所述中间区域以及所述右侧区域上的所述红光发光层;
S6、在经过步骤S5处理后的所述基板上蒸镀蓝光发光层;
S7、在经过步骤S6处理后的所述基板上蒸镀电子传输层、电子注入层以及阴极,并封装所述蓝光发光层、所述绿光发光层以及所述红光发光层;
S8、将步骤S7封装后的所述蓝光发光层、所述绿光发光层以及所述红光发光层进行通电压处理,并破坏位于所述基板的所述中间区域上的所述蓝光发光层,以及破坏位于所述基板的所述右侧区域上的所述红光发光层以及所述蓝光发光层。
2.根据权利要求1所述的发光层的制备方法,其特征在于,在步骤S1中的所述基板为进行空穴注入层以及空穴传输层蒸镀处理后的基板。
3.根据权利要求1所述的发光层的制备方法,其特征在于,在步骤S3中的所述UV光的波长为254纳米。
4.根据权利要求3所述的发光层的制备方法,其特征在于,在步骤S3中的所述UV光的照度为28兆瓦/平方厘米。
5.根据权利要求4所述的发光层的制备方法,其特征在于,在步骤S3中的所述UV光的处理时间为600秒。
6.根据权利要求1所述的发光层的制备方法,其特征在于,在步骤S8中的将所述蓝光发光层、所述绿光发光层以及所述红光发光层进行通电压处理前,对所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层进行最大电压的承受测试。
7.根据权利要求6所述的发光层的制备方法,其特征在于,按照所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层能承受的所述最大电压依次递减的顺序进行蒸镀。
8.根据权利要求7所述的发光层的制备方法,其特征在于,所述蓝光发光层、所述绿光发光层以及所述红光发光层的蒸镀顺序为首先蒸镀所述绿光发光层,随后蒸镀所述红光发光层,最后蒸镀所述蓝光发光层。
9.根据权利要求1所述的发光层的制备方法,其特征在于,所述步骤S8还包括调整通电压的电压值大小以及通电时间来处理所述绿光发光层、所述红光发光层以及所述蓝光发光层。
10.一种显示装置,使用了如权利要求1-9任一项所述的发光层的制备方法所制备得到的发光层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择