[发明专利]擦除NVM装置中的数据的方法和执行该方法的NVM装置在审
| 申请号： | 201910348734.1 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110556136A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 宋成镇;朴贤郁;任琫淳;金道彬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C16/04;G11C16/14;G11C16/24 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本申请提供了擦除非易失性存储器装置中的数据的方法和执行该方法的非易失性存储器装置。在擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法中，针对各个预定循环确定用于存储器块的数据擦除特性是否变差。存储器块中具有多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠。当确定数据擦除特性变差时，通过改变施加至用于选择存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平来执行数据擦除操作。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器块 数据擦除 非易失性存储器装置 存储器单元 变差 擦除 易失性存储器装置 选择存储器 选择晶体管 预定循环 目标块 衬底 堆叠 竖直 施加 申请 | ||
【主权项】：
1.一种擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法，该方法包括以下步骤：/n针对数据擦除操作的各个预定循环确定用于所述存储器块的数据擦除特性是否变差，所述存储器块中具有多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠；以及/n当确定所述数据擦除特性变差时，通过改变施加至用于选择所述存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平来执行数据擦除操作。/n
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