[发明专利]擦除NVM装置中的数据的方法和执行该方法的NVM装置

说明书

本申请提供了擦除非易失性存储器装置中的数据的方法和执行该方法的非易失性存储器装置。在擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法中，针对各个预定循环确定用于存储器块的数据擦除特性是否变差。存储器块中具有多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠。当确定数据擦除特性变差时，通过改变施加至用于选择存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平来执行数据擦除操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年6月1日在韩国知识产权局(KIPO)提交的韩国专利申请No.10-2018-0063474的优先权，该申请的内容以引用方式全文并入本文中。

技术领域

示例实施例整体涉及半导体存储器装置，并且更具体地说，涉及擦除非易失性存储器(NVM)装置中的数据的方法和执行该方法的非易失性存储器装置。

背景技术

半导体存储器装置通常可分为两类，这取决于它们与电源断开时是否保留存储的数据。这些类别包括易失性存储器设备(断开电源时会丢失存储的数据)和非易失性存储器设备(断开电源时会保留存储的数据)。易失性存储器设备可高速地执行读写操作，而存储在其中的内容可能在断电时丢失。即使在断电时，非易失性存储设备也可以保留其中存储的内容，这意味着它们可用来存储不管它们是否通电都必须保留的数据。最近，为了提高半导体存储器装置的容量和集成密度，研究了具有“垂直”(即三维(3D))堆叠的存储器单元的半导体存储器装置。

发明内容

本公开的至少一个示例实施例提供了一种擦除包括按照三维堆叠的存储器单元的非易失性存储器装置中的数据的方法，其能够提高数据擦除操作的特性和可靠性。

本公开的至少一个示例实施例提供了一种执行擦除数据的方法的非易失性存储器装置。

根据示例实施例，在一种擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法中，针对数据擦除操作的各个预定循环确定用于存储器块的数据擦除特性是否变差。存储器块中具有多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠。当确定数据擦除特性变差时，通过改变施加至用于选择存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平来执行数据擦除操作。

根据示例实施例，在一种擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法中，针对数据擦除操作的各个预定循环确定用于存储器块的数据擦除特性是否变差。存储器块中具有多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠。当确定数据擦除特性变差时，通过改变电压施加至用于选择存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的时间量来执行数据擦除操作。

根据示例实施例，一种非易失性存储器装置包括存储器块和控制电路。存储器块包括在竖直方向上布置的多个存储器单元。控制电路针对数据擦除操作的各个预定循环确定用于存储器块的数据擦除特性是否变差，并且当确定数据擦除特性变差时，基于第一改变操作和第二改变操作中的至少一个执行数据擦除操作。第一改变操作表示改变施加至用于选择存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平的操作。第二改变操作表示改变电压施加至选择晶体管的时间量的操作。

在根据示例实施例的擦除数据的方法和根据示例实施例的非易失性存储器装置中，当确定数据擦除特性变差时，可基于第一改变操作和第二改变操作中的至少一个执行数据擦除操作。第一改变操作可表示改变施加至选择晶体管的电压的电平的操作，第二改变操作可表示改变电压施加至选择晶体管的时间的操作。因此，数据擦除操作的特性和可靠性可提高或增强，并且非易失性存储器装置可具有相对延长的寿命。

附图说明

将从下面结合附图的详细描述中更清楚地理解示出性而非限制性的示例实施例。

图1是示出根据示例实施例的擦除非易失性存储器装置中的数据的方法的流程图。