[发明专利]擦除NVM装置中的数据的方法和执行该方法的NVM装置

权利要求书

1.一种擦除包括存储器块的非易失性存储器装置中的数据的方法，该方法包括以下步骤：

针对数据擦除操作的各个预定循环确定用于所述存储器块的数据擦除特性是否变差，所述存储器块中具有多个存储器单元，所述多个存储器单元相对于底部衬底在竖直方向上堆叠；以及

当确定所述数据擦除特性变差时，通过改变施加至用于选择所述存储器块作为擦除目标块的选择晶体管的电压的电平来执行数据擦除操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行数据擦除操作的步骤包括：

将具有正常擦除电平的擦除电压施加至所述存储器块的共源极线；以及

在将所述擦除电压施加至所述共源极线的同时，将具有第一栅极电平的栅极电压施加至与所述共源极线连接的地选择晶体管的栅电极，所述第一栅极电平低于正常栅极电平。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，执行数据擦除操作的步骤包括：

将具有第一擦除电平的擦除电压施加至所述存储器块的共源极线，所述第一擦除电平高于正常擦除电平；以及

在将所述擦除电压施加至所述共源极线的同时，将具有正常栅极电平的栅极电压施加至与所述共源极线连接的地选择晶体管的栅电极。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，执行数据擦除操作的步骤包括：

将具有第一擦除电平的擦除电压施加至所述存储器块的共源极线，所述第一擦除电平高于正常擦除电平；以及

在将所述擦除电压施加至所述共源极线的同时，将具有第一栅极电平的栅极电压施加至与所述共源极线连接的地选择晶体管的栅电极，所述第一栅极电平低于正常栅极电平。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，执行数据擦除操作的步骤包括：

将具有正常擦除电平的擦除电压施加至所述存储器块的位线；以及

在将所述擦除电压施加至所述位线的同时，将具有第一栅极电平的栅极电压施加至与所述位线连接的串选择晶体管的栅电极，所述第一栅极电平低于正常栅极电平。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，执行数据擦除操作的步骤包括：

将具有第一擦除电平的擦除电压施加至所述存储器块的位线，所述第一擦除电平高于正常擦除电平；以及

在将所述擦除电压施加至所述位线的同时，将具有正常栅极电平的栅极电压施加至与所述位线连接的串选择晶体管的栅电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，执行数据擦除操作的步骤包括：

将具有第一擦除电平的擦除电压施加至所述存储器块的位线，所述第一擦除电平高于正常擦除电平；以及

在将所述擦除电压施加至所述位线的同时，将具有第一栅极电平的栅极电压施加至与所述位线连接的串选择晶体管的栅电极，所述第一栅极电平低于正常栅极电平。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，确定数据擦除特性是否变差的步骤包括：

测量所述选择晶体管的阈电压的分布；

对所述选择晶体管中的第一选择晶体管的数量计数，所述第一选择晶体管的阈电压被感测为低于第一参考电压；以及

基于所述第一选择晶体管的数量确定所述数据擦除特性的变差程度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

随着所述第一选择晶体管的数量增加，所述数据擦除特性更严重地变差，并且

施加至所述选择晶体管的电压的电平的改变量随着所述第一选择晶体管的数量增加而增加。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，确定数据擦除特性是否变差的步骤包括：

测量所述选择晶体管的阈电压的分布；

对所述选择晶体管中的第二选择晶体管的数量计数，所述第二选择晶体管的阈电压被感测为高于第二参考电压；以及

基于所述第二选择晶体管的数量确定所述数据擦除特性的变差程度。