[发明专利]MOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201910347353.1 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110112070B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 刘冲;曹秀亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的一种MOS晶体管及其形成方法，所述MOS晶体管的形成方法中，根据得到的栅极结构和间隙壁的AEI CD动态调整离子注入的能量和/或剂量，可以降低不同晶圆上的芯片的饱和电流和阈值电压的均匀性，即，可以降低MOS晶体管的片间差异，从而降低了对具有该MOS晶体管的半导体器件的工作特性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，形成于所述栅极结构两侧的间隙壁；得到所述栅极结构和间隙壁的刻蚀后检测关键尺寸；以及以所述间隙壁为掩模对所述栅极结构和间隙壁两侧的半导体衬底进行离子注入，所述离子注入的能量和/或剂量根据所述刻蚀后检测关键尺寸动态调整，以形成MOS晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910347353.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
