[发明专利]MOS晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构两侧的所述半导体衬底中形成轻掺杂源/漏区，形成于所述栅极结构两侧的间隙壁；

得到所述栅极结构和间隙壁的刻蚀后检测关键尺寸；以及

以所述间隙壁为掩模对所述栅极结构和间隙壁两侧的半导体衬底进行离子注入，以形成源/漏区，从而形成MOS晶体管，其中，所述离子注入的能量和/或剂量根据所述刻蚀后检测关键尺寸动态调整，所述刻蚀后检测关键尺寸为从所述源区向所述漏区延伸方向上所述栅极结构的长度及两个所述间隙壁最大长度之和；

其中，所述动态调整为当所述刻蚀后检测关键尺寸小于设计值中心值时，减少所述离子注入的能量和/或剂量；当所述刻蚀后检测关键尺寸大于设计值中心值时，增加所述离子注入的能量和/或剂量。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，当离子注入工艺采用的离子为N型掺杂离子时，所述N型掺杂离子注入的能量在10Kev-80Kev之间，掺杂剂量在1E15cm^-2-8E15cm^-2之间，所述N型掺杂离子注入时的入射角度为与所述半导体衬底的表面的垂直线的夹角呈0～45°。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，离子注入工艺包括第一次离子注入工艺和第二次离子注入工艺，当离子注入工艺采用的离子为N型掺杂离子时，所述第一次离子注入工艺的N型掺杂离子注入的能量在10Kev-80Kev之间，掺杂剂量在1E13cm^-2-1E14cm^-2之间，所述N型掺杂离子注入时的入射角度为与所述半导体衬底的表面的垂直线的夹角呈0～45°；所述第二次离子注入工艺的N型掺杂离子注入的能量在10Kev-80Kev之间，掺杂剂量在1E15cm^-2-8E15cm^-2之间，所述N型掺杂注入时的入射角度为与所述半导体衬底的表面的垂直线的夹角呈0～45°。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，离子注入工艺包括第一次离子注入工艺和第二次离子注入工艺，当离子注入工艺采用的离子为N型掺杂离子时，所述第一次离子注入工艺的N型掺杂离子注入的能量在10Kev-80Kev之间，掺杂剂量在1E15cm^-2-8E15cm^-2之间，所述N型掺杂注入时的入射角度为与所述半导体衬底的表面的垂直线的夹角呈0～45°；所述第二次离子注入工艺的N型掺杂离子注入的能量在10Kev-80Kev之间，掺杂剂量在1E13cm^-2-1E14cm^-2之间，所述N型掺杂离子注入时的入射角度为与所述半导体衬底的表面的垂直线的夹角呈0～45°。

5.如权利要求2-4中任一项所述的形成方法，其特征在于，所述N型掺杂离子为磷离子、砷离子和锑离子中的至少一种。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，当离子注入工艺采用的离子为P型掺杂离子时，所述P型掺杂离子注入的能量在1Kev-30Kev之间，掺杂剂量在1E15cm^-2-8E15cm^-2之间，所述P型掺杂离子注入时的入射角度为与所述半导体衬底的表面的垂直线的夹角呈0～45°。

7.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，当离子注入工艺采用的离子为P型掺杂离子时，所述第一次离子注入工艺的P型掺杂离子注入的能量在1Kev-30Kev之间，掺杂剂量在1E13cm^-2-1E14cm^-2之间，所述P型掺杂离子注入时的入射角度为与所述半导体衬底的表面的垂直线的夹角呈0～45°；所述第二次离子注入工艺的P型掺杂离子注入的能量在1Kev-30Kev之间，掺杂剂量在1E15cm^-2-8E15cm^-2之间，所述P型掺杂离子注入时的入射角度为与所述半导体衬底的表面的垂直线的夹角呈0～45°。