[发明专利]一种发光二极管结构与光电器件

摘要

本发明提供了一种发光二极管结构与光电器件，涉及半导体技术领域。该发光二极管结构至少包括发光层，位于发光层一侧的第一疏导层，与位于第一疏导层的远离发光层一侧的空穴传输层，及位于发光层另一侧的电子传输层。其中，第一疏导层的最低未占轨道与发光层的最低未占轨道能级相差±0.5ev，第一疏导层的最高已占轨道能级低于发光层的最高已占轨道能级，且第一疏导层用于疏导发光层内多余的电子。本发明提供的发光二极管结构与光电器件具有提升了发光效率的优点。

主权项

1.一种发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构至少包括：发光层；位于所述发光层一侧的第一疏导层；与位于所述第一疏导层的远离所述发光层一侧的空穴传输层；及位于所述发光层另一侧的电子传输层；其中，所述第一疏导层的最低未占轨道与所述发光层的最低未占轨道能级相差±0.5ev，所述第一疏导层的最高已占轨道能级低于所述发光层的最高已占轨道能级，且所述第一疏导层用于疏导所述发光层多余的电子。