[发明专利]一种发光二极管结构与光电器件

权利要求书

1.一种发光二极管结构，其特征在于，所述发光二极管结构至少包括：

发光层；

位于所述发光层一侧的第一疏导层；与

位于所述第一疏导层的远离所述发光层一侧的空穴传输层；及

位于所述发光层另一侧的电子传输层；

其中，所述第一疏导层的最低未占轨道与所述发光层的最低未占轨道能级相差±0.5ev以内，所述第一疏导层的最高已占轨道能级低于所述发光层的最高已占轨道能级，所述第一疏导层的带隙高于所述发光层的带隙，且所述第一疏导层用于疏导所述发光层多余的电子；

所述第一疏导层的厚度为2-10nm；

制作所述第一疏导层的材料为n-型材料。

2.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，所述疏导层还包括第二疏导层，所述第二疏导层位于所述发光层与所述电子传输层之间，其中，所述第二疏导层用于疏导所述发光层内多余的空穴。

3.如权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，所述第二疏导层的最低未占轨道能级高于所述发光层的最低未占轨道能级，所述第二疏导层的最高已占轨道能级与所述发光层的最高已占轨道能级相差±0.5ev。

4.如权利要求2所述的发光二极管结构，其特征在于，制作所述第二疏导层的材料选自聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、4,4'-二(9-咔唑)联苯、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、三氧化钼、三氧化钨、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、正溴丙烷、NiO_x、硫氰酸亚铜、CrCuO_y中的一种或多种；

其中，x的取值范围为1至1.5之间，y的取值范围为0.5至3之间。

5.如权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，制作所述第一疏导层的材料选自三(8-羟基喹啉铝)、2-(4-联苯基)-5-苯基恶二唑、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、7,7,8,8-四氰基对苯二醌二甲烷、1,3-双[5-(对-特丁基苯基)-1,3,4-二唑基-2]苯、富勒烯及其衍生物、苝二酰胺类及其衍生物、吡咯并吡咯二酮及其衍生物、并五苯小分子及其衍生物、苯并噻唑小分子及其衍生物、氧化锌、氧化锡、二氧化钛、硒化锌、硫化镉中的一种或多种。

6.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件包括如权利要求1-5中任一所述的发光二极管结构。