[发明专利]一种发光二极管结构与光电器件

说明书

本发明提供了一种发光二极管结构与光电器件，涉及半导体技术领域。该发光二极管结构至少包括发光层，位于发光层一侧的第一疏导层，与位于第一疏导层的远离发光层一侧的空穴传输层，及位于发光层另一侧的电子传输层。其中，第一疏导层的最低未占轨道与发光层的最低未占轨道能级相差±0.5ev，第一疏导层的最高已占轨道能级低于发光层的最高已占轨道能级，且第一疏导层用于疏导发光层内多余的电子。本发明提供的发光二极管结构与光电器件具有提升了发光效率的优点。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种发光二极管结构与光电器件。

背景技术

QLED中存在效率滚降(effiency roll off)问题，使得器件高效率工作的电压区间很小。引起效率滚降的重要因素之一是载流子注入不平衡，导致发光层带电，从而降低发光效率。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种发光二极管结构，以及解决现有技术中发光二极管载流子注入不平衡的问题。

本发明的另一目的在于提供一种光电器件，以及解决现有技术中发光二极管载流子注入不平衡的问题。

为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

一方面，本发明实施例提出了一种发光二极管结构所述发光二极管结构至少包括发光层，位于所述发光层一侧的第一疏导层，与位于所述第一疏导层的远离所述发光层一侧的空穴传输层，及位于所述发光层另一侧的电子传输层。其中，所述第一疏导层的最低未占轨道与所述发光层的最低未占轨道能级相差±0.5ev，所述第一疏导层的最高已占轨道能级低于所述发光层的最高已占轨道能级，且所述第一疏导层用于疏导所述发光层多余的电子。

进一步地，所述疏导层还包括第二疏导层，所述第二疏导层位于所述发光层与所述电子传输层之间，其中，所述第二疏导层用于疏导所述发光层多余的空穴。

进一步地，所述第二疏导层的最低未占轨道能级高于所述发光层的最低未占轨道能级，所述第二疏导层的最高已占轨道能级与所述发光层的最高已占轨道能级相差±0.5ev。

进一步地，制作所述第二疏导层的材料选自聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、4,4'-二(9-咔唑)联苯、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、9,9'-(1,3-苯基)二-9H-咔唑、三氧化钼、三氧化钨、4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、正溴丙烷、NiO_x、硫氰酸亚铜、CrCuO_y中的一种或多种，其中，x的取值范围为1至1.5之间，y的取值范围为0.5至3之间。

进一步地，所述第一疏导层的厚度为2-10nm。

进一步地，制作所述第一疏导层的材料为n-型材料。

进一步地，制作所述第一疏导层的材料选自三(8-羟基喹啉铝)、2-(4-联苯基)-5-苯基恶二唑、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、7,7,8,8-四氰基对苯二醌二甲烷、1,3-双[5-(对-特丁基苯基)-1,3,4-二唑基-2]苯、富勒烯及其衍生物、苝二酰胺类及其衍生物、吡咯并吡咯二酮及其衍生物、并五苯小分子及其衍生物、苯并噻唑小分子及其衍生物、氧化锌、氧化锡、二氧化钛、硒化锌、硫化镉中的一种或多种。

另一方面，本发明实施例还提供了一种光电器件，所述光电器件包括发光二极管结构。

相对现有技术，本发明具有以下有益效果：