[发明专利]半导体器件和制造在审
| 申请号： | 201910343213.7 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110416070A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | M.卡恩;O.胡姆贝尔;R.K.约希;P.S.科赫;A.科普罗夫斯基;B.莱特尔;C.迈尔;G.施密特;J.施泰因布伦纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;申屠伟进 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 公开了半导体器件和制造。一种用于制造高电压半导体器件的方法，包括将半导体衬底暴露于等离子体以在半导体衬底上形成保护物质层。半导体器件包括半导体衬底和在半导体衬底上的保护物质层。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体器件 半导体 物质层 高电压半导体器件 等离子体 制造 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造高电压半导体器件（200）的方法，所述方法包括：将半导体衬底（210）暴露于等离子体以在衬底（210）上形成保护物质层（220），其中所述等离子体包括惰性类别，并且其中所述等离子体包括由如下组成的组中的一个或多个：氢类别、碳类别、甲烷、次乙基、乙烯。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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