[发明专利]一种低损耗大有效面积色散位移单模光纤及其制造方法在审
| 申请号： | 201910341229.4 | 申请日： | 2019-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN110058350A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 成煜;邓洪昌;徐荣辉;苑立波 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/02 | 分类号： | G02B6/02;G02B6/036 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明提供的是一种低损耗大有效面积色散位移单模光纤及其制造方法。其纤芯采用Ge和Cl掺杂，第一、三包层是浅掺F包层，第二包层是Ge、F共掺杂。光纤1550nm的模场直径是9.6±0.4μm，有效面积大于75μm2，零色散波长小于1500nm，在1530nm～1625nm的色散值在2.0～8.0ps/nm/km范围，1550nm的色散斜率≤0.06ps/nm2/km，1550nm的色散值是3.0ps/nm/km至5.0ps/nm/km之间；光纤截止波长小于1500nm。在1550nm弯曲损耗在16mm弯曲半径下1圈不大于0.01dB，光纤在1550nm波长的衰耗小于或等于0.185dB/km。 | ||
| 搜索关键词： | 有效面积 色散位移单模光纤 低损耗 包层 色散 光纤 光纤截止波长 零色散波长 色散斜率 弯曲损耗 共掺杂 波长 衰耗 纤芯 制造 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种低损耗大有效面积色散位移单模光纤，光纤的纤芯半径r1为2.5～3.5μm，芯层相对折射率差△n1为+0.45％～+0.55％，芯层掺杂为Cl和Ge；第一包层半径r2为4.0～5.0μm，相对折射率差△n2为‑0.08％～‑0.11％，第一包层掺杂为F掺杂；第二包层半径r3为7.5～9μm，相对折射率差△n3为+0.12％～+0.17％，第二包层掺杂为Ge、F共掺杂；第三包层半径r4为10～12μm，相对折射率差△n4为‑0.03％～‑0.05％，第三包层掺杂为F掺杂；最外层为纯二氧化硅。
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