[发明专利]场效应晶体管制备方法及场效应晶体管在审
| 申请号： | 201910336882.1 | 申请日： | 2019-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN110061063A | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;揣喜臣;杨冠华;李泠;耿玓;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L21/34 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李佳 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场效应晶体管制备方法及场效应晶体管，属于场效应晶体管制造技术领域。所述场效应晶体管制备方法包括：在衬底上制备栅电极；在所述衬底和栅电极表面制备栅介质层；将二维半导体沟道层转移至栅介质层上；在所述二维半导体沟道层的表面制备同心圆形状的源电极和漏电极；其中，外圆为所述漏电极，内圆为所述源电极。本发明利用同心圆形状的源、漏电极之间形状的不同，使得源、漏电极之间更容易产生高场区域，从而使晶体管在比较低的源漏电压下就实现饱和特性，使晶体管的工作过程中降低操作电压和功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应晶体管 漏电极 制备 二维半导体 同心圆形状 表面制备 栅介质层 沟道层 源电极 晶体管 衬底 制备栅电极 饱和特性 操作电压 源漏电压 栅电极 高场 功耗 内圆 外圆 制造 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上制备栅电极；在所述衬底和栅电极表面制备栅介质层；将二维半导体沟道层转移至栅介质层上；在所述二维半导体沟道层的表面制备同心圆形状的源电极和漏电极；其中，外圆为所述漏电极，内圆为所述源电极。
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