[发明专利]一种石墨烯/Mn5

摘要

本发明提供一种石墨烯/Mn5Ge3/锗(110)异质结及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：S1：提供一种单层石墨烯样品，单层石墨烯在锗(110)衬底上的覆盖率为30％～70％；S2：将单层石墨烯样品放入样品制备真空腔内进行加热，真空度为5×10‑10～1.5×10‑9毫巴，加热温度为1050～1150K；S3：将单层石墨烯样品的加热温度改变为600～650K，使用蒸发源向单层石墨烯样品上蒸发沉积金属锰；以及S4：关闭蒸发源，保持加热温度不变继续加热，即得。该制备方法具有工艺过程简单，可控性好等优点，该石墨烯/Mn5Ge3/锗(110)异质结因石墨烯电子态呈半导体特性，因此可制备成半导体器件。

主权项

1.一种石墨烯/Mn₅Ge₃/锗(110)异质结的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供一种单层石墨烯样品，该单层石墨烯样品包括锗(110)衬底以及在该锗(110)衬底上生长的单层石墨烯，所述单层石墨烯在锗(110)衬底上的覆盖率为30％～70％；S2：将所述单层石墨烯样品放入带有蒸发源和加热台的样品制备真空腔内进行加热，所述样品制备真空腔的真空度为5×10^‑10～1.5×10^‑9毫巴，所述单层石墨烯样品的加热温度为1050～1150K，加热持续时间为20～30小时；S3：将所述单层石墨烯样品的加热温度改变为600～650K，同时使用源材料为金属锰的蒸发源向所述单层石墨烯样品上蒸发沉积金属锰；以及S4：关闭蒸发源，保持加热温度不变继续加热步骤S3所得产物，加热持续时间为10～30分钟，取出，获得一种石墨烯/Mn₅Ge₃/锗(110)异质结。