[发明专利]利用预先去氧化物工艺的接合及其执行装置有效
| 申请号： | 201910318651.8 | 申请日： | 2019-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN110391146B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 余振华;黄英叡;董志航;邵栋梁;谢静华;黄见翎;萧义理;杨素纯 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法包括：拾取第一封装组件，去除第一封装组件的电连接件上的氧化物层，在去除氧化物层之后，将第一封装组件放置在第二封装组件上，以及将第一封装组件接合到第二封装组件。本发明的实施例还涉及利用预先去氧化物工艺的接合及其执行装置。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 预先 氧化物 工艺 接合 及其 执行 装置 | ||
【主权项】：
1.一种形成封装件的方法，包括：拾取第一封装组件；去除所述第一封装组件的电连接件上的氧化物层；在去除所述氧化物层之后，将所述第一封装组件放置在第二封装组件上；以及将所述第一封装组件接合到所述第二封装组件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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