[发明专利]一种薄膜沉积镀膜系统及对薄膜进行沉积镀膜的方法有效
申请号: | 201910307366.6 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN110129771B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 邵涛;孔飞;章程;张帅;张鹏浩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | C23C16/56 | 分类号: | C23C16/56;C23C16/54;C23C16/515 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 尚素丽 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及镀膜技术领域,具体涉及一种薄膜沉积镀膜系统,其包括:至少一组后处理装置,包括靠近所述薄膜两面并相对设置的高压电极板和接地电极板,所述高压电极板靠近所述薄膜的一面设置有用于镀膜老练的局部放电结构。本发明的薄膜沉积镀膜系统能够使电容器薄膜镀膜后薄膜表面较为平整、提高薄膜镀层的绝缘性能和稳定性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 沉积 镀膜 系统 进行 方法 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜沉积镀膜系统,其特征在于,包括:至少一组后处理装置,包括靠近所述薄膜(2)两面并相对设置的高压电极板(5)和接地电极板(3),所述高压电极板(5)靠近所述薄膜(2)的一面设置有用于镀膜表面老练的局部放电结构。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的