[发明专利]用于盖与喷嘴上的稀土氧化物基涂层的离子辅助沉积

摘要

本发明涉及用于处理腔室的腔室部件、抗等离子体盖或喷嘴及制造制品的方法。制造制品的方法包含提供用于蚀刻反应器的盖或喷嘴。随后执行离子辅助沉积(IAD)以在盖或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层，其中，保护层是具有小于300μm的厚度以及10微英寸或更小的平均表面粗糙度的抗等离子体的稀土氧化物膜。

主权项

1.一种用于处理腔室的腔室部件，包括：陶瓷主体，所述陶瓷主体具有至少一个表面，所述至少一个表面具有大约8‑16微英寸的第一平均表面粗糙度；以及在所述陶瓷主体的所述至少一个表面上的共形保护层，其中，所述共形保护层包含抗等离子体稀土氧化物膜，所述抗等离子体稀土氧化物膜是从由Y₄Al₂O₉、Er₂O₃、Gd₂O₃、YF₃、Er₄Al₂O₉、ErAlO₃、Gd₄Al₂O₉、GdAlO₃、Nd₄Al₂O₉、NdAlO₃、第一陶瓷化合物和第二陶瓷化合物组成的群组中选择的，所述第一陶瓷化合物包含Y₄Al₂O₉与Y₂O₃‑ZrO₂固溶体的混合物，所述第二陶瓷化合物包含Y₂O₃、ZrO₂、Er₂O₃、Gd₂O₃和SiO₂的混合物，所述共形保护层在所述至少一个表面上面具有小于300μm的基本上均匀的厚度，并且所述共形保护层具有小于所述第一平均表面粗糙度的第二平均表面粗糙度。