[发明专利]一种非易失性双模阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910304478.6 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110010762B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 刘举庆;王祥静;黄维 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京东方盛凡知识产权代理事务所(普通合伙) 11562 | 代理人： | 许佳 |
| 地址： | 210009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于阻变存储器件领域，涉及一种利用界面工程普适制备双模阻变存储器件及其制备方法。该存储器件包括表面具有纳米结构的下电极、表面存在纳米孔洞的中间功能层以及上电极。具体采用表面纳米褶皱的导电还原氧化石墨烯(rGO)作为下电极；所述的中间功能层是将有机聚合物材料在一定湿度下旋涂在下电极表面形成表面孔洞的中间活性层；蒸镀金属铝(Al)作为上电极。最终制备一种非易失性双模阻变存储器。该器件具有结构简单、性能优异、功能多样化等特点，且制备工艺简单，成本低廉，在智能存储领域具有广阔应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性 双模 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性双模阻变存储器，其特征在于：所述存储器采用表面纳米褶皱的导电还原氧化石墨烯作为下电极、蒸镀金属铝作为上电极，所述中间功能层是将有机聚合物材料在一定湿度下旋涂在下电极表面形成表面孔洞的中间活性层。
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