[发明专利]一种非易失性双模阻变存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种非易失性双模阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)硅/二氧化硅(Si/SiO₂)衬底的清洁处理，将衬底依次放置在去离子水、乙醇、异丙醇、去离子水中，分别超声10min-30min，氮气吹干；最后将衬底放入氧气等离子体清洗机中，氧气等离子体清洗机的功率设定为80w，时间为5min；

2)采用旋涂方法制备出表面具有纳米褶皱结构的还原氧化石墨烯下电极；先将氧化石墨烯(GO)溶液旋涂在衬底上，然后置于管式炉中通入氩氢混合气进行高温热还原，还原温度为1000℃，时间为120min；

所述的氧化石墨烯溶液的制备是将氧化石墨烯溶解在混合溶剂中获得2mg/ml的氧化石墨烯(GO)溶液；所述混合溶剂的比例是去离子水：甲醇为1：5；

3)采用呼吸图法制备表面具有纳米孔洞的中间功能层，所述中间功能层是将有机聚合物材料在一定湿度下旋涂在下电极表面形成表面孔洞的有机聚合物材料，所述有机聚合物材料为3-己基取代聚噻吩或者聚甲基丙烯酸甲酯；所述中间功能层的制备是采用呼吸图法，将以氯仿为溶剂的浓度为5mg/ml的MEH-PPV溶液旋涂于下电极表面，最后置于湿度为35％的潮湿空气中烘干30min，烘干温度为70℃；

4)制备上电极，所述上电极为蒸镀金属铝。