[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201910299348.8 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN110767657A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 李振元;李南宰 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/11568;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘久亮;黄纶伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体装置及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括：被第一穿透部穿透的源极结构；设置在源极结构上并被与第一穿透部交叠的第二穿透部穿透的第一层叠结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 穿透 源极结构 穿透的 层叠结构 交叠 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：/n源极结构，所述源极结构被第一穿透部穿透；/n第一层叠结构，所述第一层叠结构设置在所述源极结构上并被与所述第一穿透部交叠的第二穿透部穿透；/n第二层叠结构，所述第二层叠结构设置在所述第一层叠结构上并延伸以与所述第一穿透部和所述第二穿透部交叠；以及/n沟道柱，所述沟道柱穿过所述第二层叠结构和所述第一层叠结构。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
