[发明专利]一种制备晶片级均匀六方氮化硼薄膜的方法在审
| 申请号： | 201910298770.1 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN111826712A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 武斌;姚文乾;刘云圻 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/38;C23C16/02;C23C16/34;C25F3/22 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备晶片级均匀六方氮化硼薄膜的方法。该方法采用化学气相沉积法，利用大单晶铜基底预先进行电化学抛光，而后放入高温管式炉进行生长六方氮化硼，即可得到晶片级六方氮化硼薄膜。在不同的晶面上氮化硼会形成三角、六方等多种晶型，在同一晶面上六方氮化硼会实现单晶晶型的无缝拼接，最终形成均匀连续晶片级六方氮化硼薄膜，六方氮化硼作为优异的介电材料在光电材料、微电子器件等方面都有极高的潜在应用价值，本发明为六方氮化硼材料的产业化应用提供了进一步可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 晶片 均匀 氮化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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