[发明专利]图像传感器及其制作方法在审
| 申请号： | 201910295129.2 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110010635A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 朱建军;武青青;胡少坚 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种图像传感器及其制作方法，图像传感器，包括：衬底，所述衬底中形成有信号器件，所述衬底上设置有接触下电极层，所述接触下电极层与所述信号器件电连接；多孔非晶硅薄膜层，所述多孔非晶硅薄膜层设置在所述衬底上且覆盖所述接触下电极层，所述多孔非晶硅薄膜层包括非晶硅薄膜层、分布在所述非晶硅薄膜层中的若干孔，以及填充在若干所述孔中的量子点。本发明能有效检测红外波长，提高图像传感器的吸光率，图像传感器具有低暗电导，高开关比，高灵敏度，及更宽的响应光谱特性，且量子点填充率高，使图像传感器的质量更好。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 非晶硅薄膜层 衬底 下电极层 信号器件 量子点 高灵敏度 光谱特性 红外波长 有效检测 电连接 开关比 填充率 吸光率 电导 填充 制作 响应 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有信号器件，所述衬底上设置有接触下电极层，所述接触下电极层与所述信号器件电连接；多孔非晶硅薄膜层，所述多孔非晶硅薄膜层设置在所述衬底上且覆盖所述接触下电极层，所述多孔非晶硅薄膜层包括非晶硅薄膜层、分布在所述非晶硅薄膜层中的若干孔，以及填充在若干所述孔中的量子点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
